| Основные | |
| Объём | 500 ГБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Размеры M.2 | 2280 |
| Интерфейс | PCI Express 4.0 x4 |
| DRAM-буфер | Да |
| Объем DRAM-буфера | 512 МБ |
| Скорость последовательного чтения | 6900 МБ/с |
| Скорость последовательной записи | 5000 МБ/с |
| Средняя скорость случайного чтения | 800000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 1000000 IOps |
| Ресурс записи | 300 TBW |
| Охлаждение | Нет |
| Подсветка | Нет |
| Буфер | 512 МБ |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 1500000 ч |
| Тип микросхем Flash | 3D MLC NAND |
| Аппаратное шифрование | Да |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 5.9 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.035 Вт |