| Основные | |
| Объём | 500 ГБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 4.0 x4 |
| Объем DRAM-буфера | 512 МБ |
| Скорость последовательного чтения | 4500 МБ/с |
| Скорость последовательной записи | 2500 МБ/с |
| Средняя скорость случайного чтения | 150000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 300000 IOps |
| Ресурс записи | 400 TBW |
| Охлаждение | Да |
| Подсветка | Нет |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 1500000 ч |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Аппаратное шифрование | Нет |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 6.7 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.021 Вт |