DDR3

DDR3

92
    ПОДОБРАТЬ ПО ПАРАМЕТРАМ
    Сбросить фильтр
    Оперативная память 2Gb NCP NCPH8AUDR-16M88 PC-12800 1600 1.5V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Оперативная память 2Gb Hynix HYMP125U64CP8-S6 PC6400 800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR2
    Частота: 800 МГц
    Стандарт памяти: PC2-6400
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR2
    Частота: 800 МГц
    Стандарт памяти: PC2-6400
    Напряжение питания: 1.5 В
    Оперативная память 2Gb Patriot DDR3 PC12800 2Gb PSD32G160081
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В

    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В

    Оперативная память 2Gb Patriot PSD32G16002 PC-12800 1600
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 2Gb Patriot Signature Line PSD32G1600L2S 1600MHz PC-12800 CL11T 1.35V
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В

    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В

    Оперативная память 2Gb Goodram GR1600D364L11/2G 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Оперативная память 2Gb Crucial CT25664BD160BJ PC-12800 1600 CL11 1.35V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Оперативная память для ноутбука 2Gb Kingston KVR16S11S6/2 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Оперативная память для ноутбука 2Gb Kingston KVR13S9S6/2 9-9-9 1.5V 1333 PC-10660
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    Оперативная память 2Gb Kingston KVR16N11S6/2 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В

    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В

    Оперативная память 4Gb NCP NCPH9AUDR-16M58 1.5V 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Поддержка ECC: Нет
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Поддержка ECC: Нет
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    Оперативная память 4Gb Kingston KVR16LR11S8/4 ECC CL11 1.35V 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Поддержка ECC: Есть
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В (LV DDR3)
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Поддержка ECC: Есть
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В (LV DDR3)
    Оперативная память 4Gb Samsung M378B5173DB0-CK0 1.5V 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Поддержка ECC: Нет
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Поддержка ECC: Нет
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Оперативная память для ноутбука 4Gb Hynix SODIMM DDR3 PC10600 4Gb
    Тип оборудования: Модуль памяти для ноутбуков
    Объем: 4Гб
    Частота функционирования: до 1333МГц
    Тип: DDR3
    Пропускная способность: 10660 Мб/сек
    Тип оборудования: Модуль памяти для ноутбуков
    Объем: 4Гб
    Частота функционирования: до 1333МГц
    Тип: DDR3
    Пропускная способность: 10660 Мб/сек
    Модуль памяти 4Gb Micron MT16KTF51264HZ-1G6M1 1600 PC-12800 11-11-11 1.35V
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)
    Модуль памяти 4Gb Hynix HMT351S6BFR8C-H9 1333 PC-10660 9-9-9 1.5V
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
    Модуль памяти 4Gb Samsung M471B5273DH0-CH9 1333 PC-10600 9-9-9 1.5V
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: SODIMM DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Memory rank: Dual rank
    Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: SODIMM DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Memory rank: Dual rank
    Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
    Модуль памяти 4Gb A-Data RM3U1600W4G11-B 1600 PC-12800 11-11-11 1.5V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
    Модуль памяти 4Gb Hynix HMT451S6AFR8A-PB 1600 PC-12800 11-11-11 1.35V
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Memory rank: Single rank
    Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Memory rank: Single rank
    Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)
    Оперативная память для ноутбука 4Gb Samsung M471B5173QH0-YK0 1600 PC12800
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Модуль памяти 4Gb Samsung M471B5273CH0-YK0 1600 PC-12800 11-11-11 1.35V
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Memory rank: Dual rank
    Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Memory rank: Dual rank
    Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)
    Оперативная память 4Gb Patriot PSD34G16002S 1600 PC-12800 11-11-11 1.5V
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: SODIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Memory rank: Dual rank
    Двухсторонний модуль памяти: Да
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: SODIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Memory rank: Dual rank
    Двухсторонний модуль памяти: Да
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Поддержка ECC: Нет
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Поддержка ECC: Нет
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 4Gb Samsung M471B5173EB0-YK0 1600 PC-12800 11-11-11 1.35V
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)
    Модуль памяти 4Gb AMD R534G1601S1SL-UO 1600 PC12800 11-11-11-28 1.35V
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11-28
    Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)

    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11-28
    Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)

    Оперативная память 4Gb Patriot DDR3 PC-12800 4Gb
    Тип оборудования: Модуль памяти
    Объем: 4Гб
    Частота функционирования: до 1600МГц
    Тип: DDR3
    Пропускная способность: 12800 Мб/сек
    Тип оборудования: Модуль памяти
    Объем: 4Гб
    Частота функционирования: до 1600МГц
    Тип: DDR3
    Пропускная способность: 12800 Мб/сек
    Модуль памяти 4Gb Hynix HMT451S6MFR8A-PB 1600 PC-12800 11-11-11 1.35V
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Memory rank: Single rank
    Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Memory rank: Single rank
    Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)
    Оперативная память 4Gb Patriot PSD34G16002 1600 PC-12800 9-9-9 1.5V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 9-9-9
    Двухсторонний модуль памяти: Да
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 9-9-9
    Двухсторонний модуль памяти: Да
    Напряжение питания: 1.5 В
    123