Оперативная память

Оперативная память

314
  1. DDR
  2. DDR2
  3. DDR3
  4. DDR4
ПОДОБРАТЬ ПО ПАРАМЕТРАМ
Сбросить фильтр
Оперативная память 1Gb Hynix DDR1 PC3200 1Gb
Объем: 1024Mb
Частота функционирования: 200/266/333/400 МГц
Тип: DDR
Пропускная способность: до 3200 Мб/сек
Производитель: Hunix
Объем: 1024Mb
Частота функционирования: 200/266/333/400 МГц
Тип: DDR
Пропускная способность: до 3200 Мб/сек
Производитель: Hunix
Оперативная память 2Gb Patriot DDR2 PC6400 2Gb PSD22G80026
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Латентность: CL 5
Напряжение питания: 1.9 В

Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Латентность: CL 5
Напряжение питания: 1.9 В

Оперативная память 2Gb Hynix HYMP125U64CP8-S6 PC6400 800MHz 1.8V
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Напряжение питания: 1.8 В
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Напряжение питания: 1.8 В
Оперативная память 2Gb Patriot PSD32G16002 PC-12800 1600
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Тайминги: 6-6-6
Охлаждение: Радиаторы на чипах памяти
Напряжение питания: 1.8 В (DDR2)
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Тайминги: 6-6-6
Охлаждение: Радиаторы на чипах памяти
Напряжение питания: 1.8 В (DDR2)
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Тайминги: 5-5-5-18
Напряжение питания: 1.8 В (DDR2)
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Тайминги: 5-5-5-18
Напряжение питания: 1.8 В (DDR2)
Модуль памяти 2Gb Patriot Signature Line PSD32G13332S 1333MHz PC-10660 9-9-9 1.5V
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3-10600
Тайминги: 9-9-9
Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3-10600
Тайминги: 9-9-9
Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
Модуль памяти 2Gb Samsung M378T5663EH3-CF7 800MHz PC-6400 6-6-6 1.8V
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Тайминги: 6-6-6
Двухсторонний модуль памяти: Да
Чип: 128Мb x 8-bit
Напряжение питания: 1.8 В (DDR2)
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Тайминги: 6-6-6
Двухсторонний модуль памяти: Да
Чип: 128Мb x 8-bit
Напряжение питания: 1.8 В (DDR2)
Оперативная память 2Gb Kingston KVR16N11/2 PC-12800
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В

Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В

Оперативная память 2Gb Kingston KVR16N11S6/2 1600 PC-12800
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В
Модуль памяти 2Gb Samsung M378T5663QZ3-CF7 800MHz PC-6400 6-6-6 1.8V
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Тайминги: 6-6-6
Двухсторонний модуль памяти: Да
Чип: 128Мb x 8-bit
Напряжение питания: 1.8 В (DDR2)
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Тайминги: 6-6-6
Двухсторонний модуль памяти: Да
Чип: 128Мb x 8-bit
Напряжение питания: 1.8 В (DDR2)
Модуль памяти Patriot PSD22G8002S
Описание находится в стадии разработки!!!
Описание находится в стадии разработки!!!
Оперативная память 2Gb Hynix DDR2 PC6400 2Gb
Объем: 2048Mb
Частота функционирования: 533/675/800 МГц
Тип: DDR2
Пропускная способность: до 6400 Мб/сек
Производитель чипов: Hynix
Объем: 2048Mb
Частота функционирования: 533/675/800 МГц
Тип: DDR2
Пропускная способность: до 6400 Мб/сек
Производитель чипов: Hynix
Оперативная память 2Gb Crucial CT25664BD160BJ PC-12800 1600 CL11 1.35V
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.35 В
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.35 В
Оперативная память 1Gb Hynix HYMD512646CP8J-D43 400 PC-3200
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 1 Гб
Тип: DDR1
Частота: 400 МГц
Стандарт памяти: PC-3200
Напряжение питания: 1.5 В
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 1 Гб
Тип: DDR1
Частота: 400 МГц
Стандарт памяти: PC-3200
Напряжение питания: 1.5 В
Оперативная память для ноутбука 2Gb Kingston KVR13S9S6/2 9-9-9 1.5V 1333 PC-10660
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3-10600
Тайминги: 9-9-9
Напряжение питания: 1.5 В
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3-10600
Тайминги: 9-9-9
Напряжение питания: 1.5 В
Оперативная память для ноутбука 2Gb Kingston KVR16S11/2 DDR3 1600 PC-12800
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В
Оперативная память 4Gb Hynix DDR3 PC10660 4Gb
Тип оборудования: модуль оперативной памяти
Объем памяти: 4 Гб
Частота функционирования: до 1333 МГц
Тип: DDR3
Стандарт памяти: PC-10660
Пропускная способность: 10660 Мб/сек
Производитель: Hynix Original
Тип оборудования: модуль оперативной памяти
Объем памяти: 4 Гб
Частота функционирования: до 1333 МГц
Тип: DDR3
Стандарт памяти: PC-10660
Пропускная способность: 10660 Мб/сек
Производитель: Hynix Original
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.35 В (LV DDR3)
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.35 В (LV DDR3)
Тип оборудования: Набор модулей памяти для ноутбука (2 х 2 Гб)
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3 SO-DIMM
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11-28
Memory rank: Single rank
Двухсторонний модуль памяти: Нет
Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)
Тип оборудования: Набор модулей памяти для ноутбука (2 х 2 Гб)
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3 SO-DIMM
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11-28
Memory rank: Single rank
Двухсторонний модуль памяти: Нет
Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)
Оперативная память 4Gb Goodram GR1600D364L11S/4G 1600 PC-12800
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11-30
Напряжение питания: 1.5 В
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11-30
Напряжение питания: 1.5 В
Оперативная память 4Gb Patriot PSD34G160081 1.5V 1600 PC-12800
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В
Оперативная память 4Gb Geil GG34GB1600C11S 1.35V 1600 PC-12800
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.35 В
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.35 В
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
Модуль памяти 4Gb Hynix HMT451S6AFR8A-PB 1600 PC-12800 11-11-11 1.35V
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Memory rank: Single rank
Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Memory rank: Single rank
Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)
Оперативная память для ноутбука 4Gb Hynix HMT451S6BFR8A-PBN0 1600 PC12800
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.35 В
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.35 В
Оперативная память 4Gb Samsung M378B5173DB0-CK0 1.5V 1600 PC-12800
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Поддержка ECC: Нет
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Поддержка ECC: Нет
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В
Оперативная память для ноутбука 4Gb Samsung M471B5173QH0-YK0 1600 PC12800
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: LV SO-DIMM DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.35 В
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: LV SO-DIMM DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.35 В
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В

Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В

Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3 SO-DIMM
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Memory rank: Single rank
Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3 SO-DIMM
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Memory rank: Single rank
Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)
123 ... 11

Купить оперативную память в Минске, для ноутбука и компьютера

Оперативная память компьютера предназначена для временного хранения информации, и поэтому от ее характеристик зависит производительность всей системы. Увеличение оперативной памяти – это наиболее дешевый и эффективный способ апгрейдить свое железо. Связано это с тем, что сама оперативка стоит достаточно дешево по сравнению с процессором, жестким диском или видеокартой, а так же с тем, что размер ОЗУ можно увеличивать постепенно, добавляя на материнскую плату новые модули памяти.
Мы предлагаем купить модули оперативной памяти по самым доступным ценам со склада в Минске. Доставка осуществляется в Гомель, Могилев, Брест, Гродно, Бобруйск, Витебск и другие крупные города Беларуси. В наличии огромный выбор плат оперативной памяти для персональных компьютеров: DDR, DDR2, DDR3, DDR4, а также для ноутбуков SO-DIMM, отличающиеся объемом, частотой и другими характеристиками.

Как выбрать оперативную память

Выбор модуля оперативной памяти для компьютера не требует особых знаний, достаточно лишь знать, какой тип платы поддерживает ваша материнская плата. Даже если вы не уверены в совместимости устройств, конструкция оперативки выполнена таким образом, что не позволит ее вставить в слот неподходящей материнской платы. Однако для успешного разгона вашего ПК все же стоит знать некоторые особенности выбора данного устройства.
Современные модификации оперативной памяти DDR-3 и DDR-4 отличаются от своих предшественников пониженным потреблением электроэнергии, большей частотой, а также они в меньшей степени нагреваются. В нашем интернет магазине данные модули представлены в диапазоне от 4 до 64 GB, а тактовая частота может достигать 2666 МГц. При покупке модуля оперативной памяти следует обратить внимание именно на значение частоты, ведь если ваша материнская плата будет поддерживать меньшую частоту, то соответственно и оперативка не сможет работать на полную мощность. Поэтому в некоторых случаях нет смысла приобретать более дорогие слоты памяти с высокой частотой, а лучше приобрести память с большим объемом.

Немаловажным фактором при выборе оперативки является ее производитель – наиболее качественные и быстродействующие модули изготавливают компании Kingston, Crucial, Corsair. Более подробную информацию о компаниях-производителях модулей оперативной памяти вы можете получить у консультантов интернет магазина ITMarket.by, которые также смогут посоветовать вам ту или иную модель, наиболее полно отвечающую вашим потребностям.

Преимущества покупки оперативки в нашем магазине

Покупая у нас оперативную память вы можете рассчитывать на следующие преимущества:
1) Доступная цена
2) Бесплатная доставка по Минску (при большом заказе)
3) Консультация по совместимости с вашим компьютером
4) Большой выбор модулей оперативной памяти в наличии
5) Возможность оплаты одним из многочисленных способов