Модули памяти

Модули памяти

174
  1. DDR
  2. DDR2
  3. DDR3
  4. DDR4
ПОДОБРАТЬ ПО ПАРАМЕТРАМ
Сбросить фильтр
Модуль памяти 1Gb Patriot PSD21G80081S 800MHz PC-6400 6-6-6 1.8V
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 1 Гб
Тип: SO-DIMM DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Тайминги: 6-6-6
Напряжение питания: 1.8 В (DDR2)
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 1 Гб
Тип: SO-DIMM DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Тайминги: 6-6-6
Напряжение питания: 1.8 В (DDR2)
Модуль памяти 1Gb Patriot PSD21G80082S 800MHz PC-6400 6-6-6 1.8V
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 1 Гб
Тип: SO-DIMM DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Тайминги: 6-6-6
Напряжение питания: 1.8 В (DDR2)
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 1 Гб
Тип: SO-DIMM DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Тайминги: 6-6-6
Напряжение питания: 1.8 В (DDR2)
Оперативная память 2Gb NCP DDR2 PC6400 2Gb
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2048Mb
Частота функционирования: 533/675/800 МГц
Тип: DDR2
Пропускная способность: до 6400 Мб/сек
Производитель: NCP
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2048Mb
Частота функционирования: 533/675/800 МГц
Тип: DDR2
Пропускная способность: до 6400 Мб/сек
Производитель: NCP
Модуль памяти 2Gb Nanya NT2GT64U8HD0BY-AD 800MHz PC-6400
Описание находится в стадии разработки!!!
Описание находится в стадии разработки!!!
Оперативная память для ноутбука 2Gb Patriot PSD22G8002S 800 PC-6400
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2 SO-DIMM
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Тайминги: 6-6-6
Напряжение питания: 1.8 В
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2 SO-DIMM
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Тайминги: 6-6-6
Напряжение питания: 1.8 В
Оперативная память 2Gb Patriot PSD32G16002 PC-12800 1600
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В
Модуль памяти 2Gb Patriot Signature Line PSD32G1600L2S 1600MHz PC-12800 CL11T 1.35V
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)
Оперативная память 2Gb Patriot DDR2 PC6400 2Gb PSD22G80026
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Латентность: CL 5
Напряжение питания: 1.9 В

Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Латентность: CL 5
Напряжение питания: 1.9 В

Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3-10600
Тайминги: 9-9-9
Напряжение питания: 1.5 В

Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3-10600
Тайминги: 9-9-9
Напряжение питания: 1.5 В

Оперативная память 2Gb Hynix DDR2 PC6400 2Gb
Объем: 2048Mb
Частота функционирования: 533/675/800 МГц
Тип: DDR2
Пропускная способность: до 6400 Мб/сек
Производитель чипов: Hynix
Объем: 2048Mb
Частота функционирования: 533/675/800 МГц
Тип: DDR2
Пропускная способность: до 6400 Мб/сек
Производитель чипов: Hynix
Оперативная память для ноутбука 2Gb Kingston KVR16S11S6/2 1600 PC-12800
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В
Оперативная память для ноутбука 2Gb Kingston KVR13S9S6/2 9-9-9 1.5V 1333 PC-10660
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3-10600
Тайминги: 9-9-9
Напряжение питания: 1.5 В
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3-10600
Тайминги: 9-9-9
Напряжение питания: 1.5 В
Оперативная память 2Gb Hynix HYMP125U64CP8-S6 PC6400 800
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Напряжение питания: 1.5 В
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Напряжение питания: 1.5 В
Оперативная память 2Gb Kingston KVR16N11S6/2 1600 PC-12800
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Тайминги: 5-5-5-18
Напряжение питания: 1.8 В (DDR2)
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Тайминги: 5-5-5-18
Напряжение питания: 1.8 В (DDR2)
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.35 В (LV DDR3)
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.35 В (LV DDR3)
Оперативная память 4Gb Samsung M378A5143EB1-CPB 2133 PC-17000
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 4 Гб
Тип: DDR4
Частота: 2133 МГц
Стандарт памяти: PC4-17000
Тайминги: 15-15-15
Напряжение питания: 1.2 В
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 4 Гб
Тип: DDR4
Частота: 2133 МГц
Стандарт памяти: PC4-17000
Тайминги: 15-15-15
Напряжение питания: 1.2 В
Оперативная память 2Gb Goodram GR800D264L6/2G 800 PC-6400
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Напряжение питания: 1.5 В
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Напряжение питания: 1.5 В
Оперативная память для ноутбука 4Gb Hynix SODIMM DDR3 PC10600 4Gb
Тип оборудования: Модуль памяти для ноутбуков
Объем: 4Гб
Частота функционирования: до 1333МГц
Тип: DDR3
Пропускная способность: 10660 Мб/сек
Тип оборудования: Модуль памяти для ноутбуков
Объем: 4Гб
Частота функционирования: до 1333МГц
Тип: DDR3
Пропускная способность: 10660 Мб/сек
Модуль памяти 4Gb Micron MT16KTF51264HZ-1G6M1 1600 PC-12800 11-11-11 1.35V
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)
Модуль памяти 4Gb Samsung M471B5273DH0-CH9 1333 PC-10600 9-9-9 1.5V
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: SODIMM DDR3
Частота: 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3-10600
Тайминги: 9-9-9
Memory rank: Dual rank
Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: SODIMM DDR3
Частота: 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3-10600
Тайминги: 9-9-9
Memory rank: Dual rank
Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
Модуль памяти 4Gb Hynix HMT351S6BFR8C-H9 1333 PC-10660 9-9-9 1.5V
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3-10600
Тайминги: 9-9-9
Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3-10600
Тайминги: 9-9-9
Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
Модуль памяти 4Gb 1600MHz PC-12800 Samsung M471B5173DB0-YK0 1.35V CL11
Описание находится в стадии разработки!!!
Описание находится в стадии разработки!!!
Модуль памяти 4Gb A-Data RM3U1600W4G11-B 1600 PC-12800 11-11-11 1.5V
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
Модуль памяти 4Gb Samsung M471B5273CH0-YK0 1600 PC-12800 11-11-11 1.35V
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Memory rank: Dual rank
Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Memory rank: Dual rank
Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)
Оперативная память для ноутбука 4Gb Hynix HMT451S6BFR8A-PBN0 1600 PC12800
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.35 В
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.35 В
Оперативная память 8Gb Apacer DL.08G2K.KAM 1600 PC-12800
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 8 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 8 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В
Модуль памяти 4Gb AMD R534G1601S1SL-UO 1600 PC12800 11-11-11-28 1.35V
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11-28
Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)

Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11-28
Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)

Оперативная память 2Gb Kingston KVR800D2N6/2G 800 PC6400
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Тайминги: CL6
Напряжение питания: 1.8 В
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Тайминги: CL6
Напряжение питания: 1.8 В
Оперативная память 4Gb Patriot PSD34G16002 1600 PC-12800 9-9-9 1.5V
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 9-9-9
Двухсторонний модуль памяти: Да
Напряжение питания: 1.5 В
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 9-9-9
Двухсторонний модуль памяти: Да
Напряжение питания: 1.5 В
123 ... 6

Купить оперативную память в Минске, для ноутбука и компьютера

Оперативная память компьютера предназначена для временного хранения информации, и поэтому от ее характеристик зависит производительность всей системы. Увеличение оперативной памяти – это наиболее дешевый и эффективный способ апгрейдить свое железо. Связано это с тем, что сама оперативка стоит достаточно дешево по сравнению с процессором, жестким диском или видеокартой, а так же с тем, что размер ОЗУ можно увеличивать постепенно, добавляя на материнскую плату новые модули памяти.
Мы предлагаем купить модули оперативной памяти по самым доступным ценам со склада в Минске. Доставка осуществляется в Гомель, Могилев, Брест, Гродно, Бобруйск, Витебск и другие крупные города Беларуси. В наличии огромный выбор плат оперативной памяти для персональных компьютеров: DDR, DDR2, DDR3, DDR4, а также для ноутбуков SO-DIMM, отличающиеся объемом, частотой и другими характеристиками.

Как выбрать оперативную память

Выбор модуля оперативной памяти для компьютера не требует особых знаний, достаточно лишь знать, какой тип платы поддерживает ваша материнская плата. Даже если вы не уверены в совместимости устройств, конструкция оперативки выполнена таким образом, что не позволит ее вставить в слот неподходящей материнской платы. Однако для успешного разгона вашего ПК все же стоит знать некоторые особенности выбора данного устройства.
Современные модификации оперативной памяти DDR-3 и DDR-4 отличаются от своих предшественников пониженным потреблением электроэнергии, большей частотой, а также они в меньшей степени нагреваются. В нашем интернет магазине данные модули представлены в диапазоне от 4 до 64 GB, а тактовая частота может достигать 2666 МГц. При покупке модуля оперативной памяти следует обратить внимание именно на значение частоты, ведь если ваша материнская плата будет поддерживать меньшую частоту, то соответственно и оперативка не сможет работать на полную мощность. Поэтому в некоторых случаях нет смысла приобретать более дорогие слоты памяти с высокой частотой, а лучше приобрести память с большим объемом.

Немаловажным фактором при выборе оперативки является ее производитель – наиболее качественные и быстродействующие модули изготавливают компании Kingston, Crucial, Corsair. Более подробную информацию о компаниях-производителях модулей оперативной памяти вы можете получить у консультантов интернет магазина ITMarket.by, которые также смогут посоветовать вам ту или иную модель, наиболее полно отвечающую вашим потребностям.

Преимущества покупки оперативки в нашем магазине

Покупая у нас оперативную память вы можете рассчитывать на следующие преимущества:
1) Доступная цена
2) Бесплатная доставка по Минску (при большом заказе)
3) Консультация по совместимости с вашим компьютером
4) Большой выбор модулей оперативной памяти в наличии
5) Возможность оплаты одним из многочисленных способов