Модули памяти

Модули памяти

250
  1. DDR
  2. DDR2
  3. DDR3
  4. DDR4
ПОДОБРАТЬ ПО ПАРАМЕТРАМ
Сбросить фильтр
Модуль памяти 1Gb Patriot PSD21G800816 800 PC-6400 6-6-6 1.8V
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 1 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Тайминги: 6-6-6
Напряжение питания: 1.8 В (DDR2)
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 1 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Тайминги: 6-6-6
Напряжение питания: 1.8 В (DDR2)
Модуль памяти 1Gb Patriot PSD1G400 400 PC-3200 CL3 2.5V
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 1 Гб
Тип: DDR1
Частота: 400 МГц
Стандарт памяти: PC1-3200
Латентность: CL3
Напряжение питания: 2.5 В (DDR1)
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 1 Гб
Тип: DDR1
Частота: 400 МГц
Стандарт памяти: PC1-3200
Латентность: CL3
Напряжение питания: 2.5 В (DDR1)
Оперативная память 2Gb Hynix HYMP125U64CP8-S6 PC6400 800
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Напряжение питания: 1.5 В
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Напряжение питания: 1.5 В
Оперативная память 2Gb NCP DDR2 PC6400 2Gb
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2048Mb
Частота функционирования: 533/675/800 МГц
Тип: DDR2
Пропускная способность: до 6400 Мб/сек
Производитель: NCP
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2048Mb
Частота функционирования: 533/675/800 МГц
Тип: DDR2
Пропускная способность: до 6400 Мб/сек
Производитель: NCP
Оперативная память 2Gb Patriot DDR2 PC6400 2Gb PSD22G80026
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Латентность: CL 5
Напряжение питания: 1.9 В

Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Латентность: CL 5
Напряжение питания: 1.9 В

Оперативная память 2Gb Patriot PSD32G1600L81S 1600 PC-12800 1.35V
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC4-12800
Напряжение питания: 1.35 В
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC4-12800
Напряжение питания: 1.35 В
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3-10600
Тайминги: 9-9-9
Напряжение питания: 1.5 В

Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3-10600
Тайминги: 9-9-9
Напряжение питания: 1.5 В

Оперативная память для ноутбука 2Gb Patriot PSD22G8002S 800 PC-6400
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2 SO-DIMM
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Тайминги: 6-6-6
Напряжение питания: 1.8 В
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2 SO-DIMM
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Тайминги: 6-6-6
Напряжение питания: 1.8 В
Оперативная память 2Gb Hynix DDR2 PC6400 2Gb
Объем: 2048Mb
Частота функционирования: 533/675/800 МГц
Тип: DDR2
Пропускная способность: до 6400 Мб/сек
Производитель чипов: Hynix
Объем: 2048Mb
Частота функционирования: 533/675/800 МГц
Тип: DDR2
Пропускная способность: до 6400 Мб/сек
Производитель чипов: Hynix
Модуль памяти 2Gb Goodram GR1600S3V64L11N/2G 1600 PC-12800 11-11-11 1.35V
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.35В (DDR3)
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.35В (DDR3)
Оперативная память 2Gb Goodram GR1600D364L11/2G 1600 PC-12800
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В
Оперативная память 2Gb Apacer AU02GFA60CAQBGC PC-12800 1600
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В
Оперативная память 2Gb Crucial CT25664BD160BJ PC-12800 1600 CL11 1.35V
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.35 В
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.35 В
Оперативная память для ноутбука 2Gb Kingston KVR13S9S6/2 9-9-9 1.5V 1333 PC-10660
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3-10600
Тайминги: 9-9-9
Напряжение питания: 1.5 В
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3-10600
Тайминги: 9-9-9
Напряжение питания: 1.5 В
Оперативная память для ноутбука 2Gb Kingston KVR16S11S6/2 1600 PC-12800
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В
Оперативная память для ноутбука 4Gb Kingston HyperX Impact HX316LS9IB/4 1.35V 9-9-9 1600 PC-12800
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 9-9-9
Напряжение питания: 1.35 В
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 9-9-9
Напряжение питания: 1.35 В
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.35 В (LV DDR3)
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.35 В (LV DDR3)
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3-10600
Тайминги: 9-9-9
Напряжение питания: 1.5 В

Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3-10600
Тайминги: 9-9-9
Напряжение питания: 1.5 В

Оперативная память 2Gb Kingston KVR16N11S6/2 1600 PC-12800
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В
Модуль памяти 4Gb Samsung M471B5273DH0-CH9 1333 PC-10600 9-9-9 1.5V
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: SODIMM DDR3
Частота: 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3-10600
Тайминги: 9-9-9
Memory rank: Dual rank
Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: SODIMM DDR3
Частота: 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3-10600
Тайминги: 9-9-9
Memory rank: Dual rank
Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
Оперативная память для ноутбука 4Gb Silicon Power SP004GBSTU133V02 DDR3-1333 PC-10660
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3-10600
Латентность: CL9T
Напряжение питания: 1.5 В

Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3-10600
Латентность: CL9T
Напряжение питания: 1.5 В

Оперативная память 4Gb A-Data 1600 PC-12800 RM3U1600W4G11-B 1.5V CL11
Описание находится в стадии разработки!!!
Описание находится в стадии разработки!!!
Оперативная память 4Gb Patriot Memory for Ultrabook PSD34G1600L2S 1600 PC-12800 1.35V CL11
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 4 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Напряжение питания: 1.35 В
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 4 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Напряжение питания: 1.35 В
Модуль памяти 4Gb Micron MT8KTF51264HZ-1G6E1 1600 PC-12800 11-11-11 1.5V
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
Оперативная память 2Gb Kingston KVR800D2N6/2G 800 PC6400
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Тайминги: CL6
Напряжение питания: 1.8 В
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 2 Гб
Тип: DDR2
Частота: 800 МГц
Стандарт памяти: PC2-6400
Тайминги: CL6
Напряжение питания: 1.8 В
Оперативная память для ноутбука 4Gb Hynix HMT451S6BFR8A-PBN0 1600 PC12800
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.35 В
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания: 1.35 В
Оперативная память 4Gb Samsung M393B5270CH0-CH9 1333 PC-10600 1.5V ECC Registered
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3-10600
Тайминги: 9-9-9
Напряжение питания: 1.5 В
Тип оборудования: модуль памяти
Объем: 4 Гб
Тип: DDR3
Частота: 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3-10600
Тайминги: 9-9-9
Напряжение питания: 1.5 В
Модуль памяти 4Gb AMD R534G1601S1SL-UO 1600 PC12800 11-11-11-28 1.35V
Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11-28
Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)

Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
Объем: 4 Гб
Тип: SO-DIMM DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800
Тайминги: 11-11-11-28
Напряжение питания: 1.35 В (DDR3)

Оперативная память 4Gb NCP DDR3 PC12800 4Gb
Тип оборудования: модуль оперативной памяти
Объем памяти: 4 Гб
Частота функционирования: до до 1600МГц
Тип: DDR3
Стандарт памяти: PC-12800
Пропускная способность: 12800 Мб/сек
Тип оборудования: модуль оперативной памяти
Объем памяти: 4 Гб
Частота функционирования: до до 1600МГц
Тип: DDR3
Стандарт памяти: PC-12800
Пропускная способность: 12800 Мб/сек
123 ... 9

Купить оперативную память в Минске, для ноутбука и компьютера

Оперативная память компьютера предназначена для временного хранения информации, и поэтому от ее характеристик зависит производительность всей системы. Увеличение оперативной памяти – это наиболее дешевый и эффективный способ апгрейдить свое железо. Связано это с тем, что сама оперативка стоит достаточно дешево по сравнению с процессором, жестким диском или видеокартой, а так же с тем, что размер ОЗУ можно увеличивать постепенно, добавляя на материнскую плату новые модули памяти.
Мы предлагаем купить модули оперативной памяти по самым доступным ценам со склада в Минске. Доставка осуществляется в Гомель, Могилев, Брест, Гродно, Бобруйск, Витебск и другие крупные города Беларуси. В наличии огромный выбор плат оперативной памяти для персональных компьютеров: DDR, DDR2, DDR3, DDR4, а также для ноутбуков SO-DIMM, отличающиеся объемом, частотой и другими характеристиками.

Как выбрать оперативную память

Выбор модуля оперативной памяти для компьютера не требует особых знаний, достаточно лишь знать, какой тип платы поддерживает ваша материнская плата. Даже если вы не уверены в совместимости устройств, конструкция оперативки выполнена таким образом, что не позволит ее вставить в слот неподходящей материнской платы. Однако для успешного разгона вашего ПК все же стоит знать некоторые особенности выбора данного устройства.
Современные модификации оперативной памяти DDR-3 и DDR-4 отличаются от своих предшественников пониженным потреблением электроэнергии, большей частотой, а также они в меньшей степени нагреваются. В нашем интернет магазине данные модули представлены в диапазоне от 4 до 64 GB, а тактовая частота может достигать 2666 МГц. При покупке модуля оперативной памяти следует обратить внимание именно на значение частоты, ведь если ваша материнская плата будет поддерживать меньшую частоту, то соответственно и оперативка не сможет работать на полную мощность. Поэтому в некоторых случаях нет смысла приобретать более дорогие слоты памяти с высокой частотой, а лучше приобрести память с большим объемом.

Немаловажным фактором при выборе оперативки является ее производитель – наиболее качественные и быстродействующие модули изготавливают компании Kingston, Crucial, Corsair. Более подробную информацию о компаниях-производителях модулей оперативной памяти вы можете получить у консультантов интернет магазина ITMarket.by, которые также смогут посоветовать вам ту или иную модель, наиболее полно отвечающую вашим потребностям.

Преимущества покупки оперативки в нашем магазине

Покупая у нас оперативную память вы можете рассчитывать на следующие преимущества:
1) Доступная цена
2) Бесплатная доставка по Минску (при большом заказе)
3) Консультация по совместимости с вашим компьютером
4) Большой выбор модулей оперативной памяти в наличии
5) Возможность оплаты одним из многочисленных способов