DDR3DDR393

    ПОДОБРАТЬ ПО ПАРАМЕТРАМ
    Сбросить фильтр
    Модуль памяти 2Gb Patriot PSD32G16002 PC-12800 1600
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 2Gb SAMSUNG M378B5773TB0-CK0 1600 PC-12800 11-11-11 1.5V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
    Модуль памяти 2Gb Patriot DDR3 PC12800 2Gb PSD32G160081
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В

    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В

    Модуль памяти 2Gb Crucial CT25664BD160BJ PC-12800 1600 CL11 1.35V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Модуль памяти 2Gb Patriot PSD32G13332 1.5V 1333 PC-10660
    Тип оборудования: Оперативная память
    Объем: 2 Гб
    Количество модулей: 1
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10660
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: Оперативная память
    Объем: 2 Гб
    Количество модулей: 1
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10660
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 2Gb Kingston KVR13N9S6/2G PC10660 1333
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 2Gb Goodram GR1600D364L11/2G 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 2Gb Kingston KVR16N11S6/2 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 4Gb Kingston ValueRAM KVR16N11S8H/4 1.5V 11-11-11 1600 PC-12800
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Модуль памяти 4Gb NCP NCPH9AUDR-16M28 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 4Gb Patriot PSD34G1600L81 1600 PC-12800 11-11-11 1.35V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Модуль памяти 4Gb Patriot PSD34G16002S 1600 PC-12800 11-11-11 1.5V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Memory rank: Dual rank
    Двухсторонний модуль памяти: Да
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Memory rank: Dual rank
    Двухсторонний модуль памяти: Да
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 8GB DDR3 1333 PC3-10600 Kingston KTM-SX313LLVS/8G 1,35V ECC Registered
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Модуль памяти 4Gb Crucial CT51264BD160B 1600 PC-12800 11-11-11 1.35V
    Тип оборудования: Модуль памяти LV DDR3
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В (LV DDR3)
    Тип оборудования: Модуль памяти LV DDR3
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В (LV DDR3)
    Модуль памяти 4Gb Crucial CT51264BD160BJ CL11 1.35V 11-11-11 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Модуль памяти 4Gb Samsung M378B5173DB0-CK0 1.5V 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Поддержка ECC: Нет
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Поддержка ECC: Нет
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 4Gb Samsung M378B5273TB0-CK0 1600 PC-12800 CL11 1.5V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
    Модуль памяти 4Gb Samsung M378B5173EB0-CK0 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 4Gb Kingston KVR16LR11S8/4 ECC CL11 1.35V 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Поддержка ECC: Есть
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В (LV DDR3)
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Поддержка ECC: Есть
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В (LV DDR3)
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В

    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В

    Модуль памяти 4Gb Apacer AU04GFA60CATBGC PC-12800 1600
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В

    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В

    Модуль памяти 4Gb Goodram GR1333D364L9S/4G 9-9-9-24 1333 PC-10600
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9-24
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9-24
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: Модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: Модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 4Gb Patriot PSD34G16002 1600 PC-12800 9-9-9 1.5V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 9-9-9
    Двухсторонний модуль памяти: Да
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 9-9-9
    Двухсторонний модуль памяти: Да
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 4Gb Kingston KVR16E11S8/4 ECC CL11 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: CL 11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: CL 11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 4Gb Goodram GR1600D364L11S/4G 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11-30
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11-30
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 4Gb Kingston KVR16R11S8/4HB ECC CL11 1.5V 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Поддержка ECC: Есть
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Поддержка ECC: Есть
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2666 МГц
    Стандарт памяти: PC4-21300
    Тайминги: 15-17-17
    Напряжение питания: 1.2 В
    Охлаждение: Радиатор
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2666 МГц
    Стандарт памяти: PC4-21300
    Тайминги: 15-17-17
    Напряжение питания: 1.2 В
    Охлаждение: Радиатор
    Модуль памяти 4Gb Kingston HyperX Fury Blue (HX316C10F/4) 10-11-10 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 10-10-10
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 10-10-10
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 4Gb Kingston HyperX Fury White HX316C10FW/4 10-10-10 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 10-10-10
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 10-10-10
    Напряжение питания: 1.5 В
    123