DDR3DDR378

    ПОДОБРАТЬ ПО ПАРАМЕТРАМ
    Сбросить фильтр
    Модуль памяти 2Gb Patriot PSD32G16002 PC-12800 1600
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    27,86BYN
    (278 600BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 2Gb NCP NCPH8AUDR-16M88 PC-12800 1600 1.5V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    29,85BYN
    (298 500BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 2Gb Patriot DDR3 PC12800 2Gb
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В

    29,85BYN
    (298 500BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В

    Модуль памяти 2Gb Crucial CT25664BD160BJ PC-12800 1600 CL11 1.35V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    31,84BYN
    (318 400BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Модуль памяти 2Gb Patriot PSD32G13332 1.5V 1333 PC-10660
    Тип оборудования: Оперативная память
    Объем: 2 Гб
    Количество модулей: 1
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10660
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    33,83BYN
    (338 300BYR)
    купить
    Тип оборудования: Оперативная память
    Объем: 2 Гб
    Количество модулей: 1
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10660
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 2Gb Kingston KVR16N11S6/2 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    33,83BYN
    (338 300BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 2Gb Kingston KVR13N9S6/2G PC10660 1333
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    35,82BYN
    (358 200BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 4Gb Crucial CT51264BD160B 1600 PC-12800 11-11-11 1.35V
    Тип оборудования: Модуль памяти LV DDR3
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В (LV DDR3)
    50,15BYN
    (501 500BYR)
    купить
    Тип оборудования: Модуль памяти LV DDR3
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В (LV DDR3)
    Тип оборудования: Модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    51,14BYN
    (511 400BYR)
    купить
    Тип оборудования: Модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 4Gb Patriot PSD34G16002S 1600 PC-12800 11-11-11 1.5V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Memory rank: Dual rank
    Двухсторонний модуль памяти: Да
    Напряжение питания: 1.5 В
    51,34BYN
    (513 400BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Memory rank: Dual rank
    Двухсторонний модуль памяти: Да
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 4Gb NCP 1333 PC-10660
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    51,34BYN
    (513 400BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 4Gb Patriot PSD34G160081 1.5V 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    52,74BYN
    (527 400BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 4Gb Kingston KVR16LN11/4BK 11-11-11-27 1.35V 1600 PC-12800 (OEM)
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В (LV DDR3)
    52,93BYN
    (529 300BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В (LV DDR3)
    Модуль памяти 4Gb Crucial Ballistix Sport BLS4G3D169DS1J 1600 PC-12800 CL9 9-9-9-24 1.5V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 16 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 9-9-9-24
    Поддержка профилей памяти: Поддержка XMP (Intel Extreme Memory Profiles)
    Охлаждение: Радиаторы на чипах памяти
    Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
    53,33BYN
    (533 300BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 16 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 9-9-9-24
    Поддержка профилей памяти: Поддержка XMP (Intel Extreme Memory Profiles)
    Охлаждение: Радиаторы на чипах памяти
    Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
    Тип оборудования: Модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    53,40BYN
    (534 000BYR)
    купить
    Тип оборудования: Модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 4Gb Crucial CT51264BD160BJ CL11 1.35V 11-11-11 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    53,53BYN
    (535 300BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Модуль памяти 4Gb Samsung M378B5173EB0-CK0 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    54,62BYN
    (546 200BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 4Gb Kingston KVR16LE11S8/4 ECC 11-11-11 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Поддержка ECС: Есть
    54,73BYN
    (547 300BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Поддержка ECС: Есть
    Модуль памяти 4Gb Patriot PSD34G16002 1600 PC-12800 9-9-9 1.5V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 9-9-9
    Двухсторонний модуль памяти: Да
    Напряжение питания: 1.5 В
    54,73BYN
    (547 300BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 9-9-9
    Двухсторонний модуль памяти: Да
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 4Gb Goodram GR1600D364L11S/4G 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11-30
    Напряжение питания: 1.5 В
    55,32BYN
    (553 200BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11-30
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 4Gb NCP DDR3 PC12800 4Gb
    Тип оборудования: модуль оперативной памяти
    Объем памяти: 4 Гб
    Частота функционирования: до до 1600МГц
    Тип: DDR3
    Стандарт памяти: PC-12800
    Пропускная способность: 12800 Мб/сек
    55,72BYN
    (557 200BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль оперативной памяти
    Объем памяти: 4 Гб
    Частота функционирования: до до 1600МГц
    Тип: DDR3
    Стандарт памяти: PC-12800
    Пропускная способность: 12800 Мб/сек
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Поддержка ECC: Нет
    Напряжение питания: 1.5 В
    56,32BYN
    (563 200BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Поддержка ECC: Нет
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 4Gb Kingston KVR16N11/4 DDR3 PC12800
    Тип оборудования: Модуль памяти
    Тип: DDR3
    Объем памяти: 4 Гб
    Частота функционирования: до 1600 МГц
    Стандарт памяти: C3-12800 (DDR3 1600 МГц)
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Пропускная способность: 12800 Мб/сек
    Потребление энергии: 2.580 Вт
    56,72BYN
    (567 200BYR)
    купить
    Тип оборудования: Модуль памяти
    Тип: DDR3
    Объем памяти: 4 Гб
    Частота функционирования: до 1600 МГц
    Стандарт памяти: C3-12800 (DDR3 1600 МГц)
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Пропускная способность: 12800 Мб/сек
    Потребление энергии: 2.580 Вт
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В

    56,72BYN
    (567 200BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В

    Модуль памяти 4Gb Kingston KVR16N11S8/4BK PC12800 OEM
    Тип оборудования: Оперативная память
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    56,85BYN
    (568 500BYR)
    купить
    Тип оборудования: Оперативная память
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 4Gb Samsung M378B5173QH0-YK0 1600 PC-12800 11-11-11 1.35V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    57,11BYN
    (571 100BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Модуль памяти 4Gb Samsung M378B5273TB0-CK0 1600 PC-12800 CL11 1.5V
    Описание находится в стадии разработки!!!
    57,71BYN
    (577 100BYR)
    купить
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Модуль памяти 4Gb Patriot DDR3 PC-12800 4Gb
    Тип оборудования: Модуль памяти
    Объем: 4Гб
    Частота функционирования: до 1600МГц
    Тип: DDR3
    Пропускная способность: 12800 Мб/сек
    58,58BYN
    (585 800BYR)
    купить
    Тип оборудования: Модуль памяти
    Объем: 4Гб
    Частота функционирования: до 1600МГц
    Тип: DDR3
    Пропускная способность: 12800 Мб/сек
    Модуль памяти 4Gb Kingston HyperX Fury Black HX316C10FB/4 10-10-10 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 10-10-10
    Напряжение питания: 1.5 В
    60,10BYN
    (601 000BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 10-10-10
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти 4Gb Kingston HX316LC10FB/4 1.35V 10-10-10 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 10-10-10
    Чип: 512M x 8-bit
    Напряжение питания: 1.35 В
    60,10BYN
    (601 000BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 10-10-10
    Чип: 512M x 8-bit
    Напряжение питания: 1.35 В
    123