DDR3

DDR3

128
    ПОДОБРАТЬ ПО ПАРАМЕТРАМ
    Сбросить фильтр
    Оперативная память 2Gb Patriot PC-10600 1333
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В

    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В

    Оперативная память для ноутбука 2Gb Crucial CT25664BF160BJ 1.35V 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Оперативная память 2Gb Patriot PSD32G1600L81S 1600 PC-12800 1.35V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC4-12800
    Напряжение питания: 1.35 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC4-12800
    Напряжение питания: 1.35 В
    Оперативная память 2Gb Geil GN32GB1600C11S 1666 PC12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Оперативная память для ноутбука 2Gb Kingston KVR16S11S6/2 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Оперативная память 2Gb Kingston KVR16N11S6/2 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Оперативная память 2Gb Goodram GR1600S3V64L11N/2G 1600 PC-12800 1.35V CL11
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Оперативная память 2Gb Goodram GR1600D364L11/2G 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Оперативная память 2Gb Kingston KVR13N9S6/2G PC10660 1333
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В

    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В

    Оперативная память 4Gb NCP 1333 PC-10660
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти для ноутбука 4Gb Samsung M471B5273DH0-CH9 1333 PC10660 (OEM)
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Оперативная память 4Gb AMD R334G1339S1SL-UO 1333 PC-10660 1.35V CL9
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Оперативная память 4Gb Patriot Signature Line PSD34G1600L82S 1600 PC-12800 1.35V CL11
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Оперативная память 4Gb Patriot Signature Line PSD34G160081S  1600 PC-12800 1.5V
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Оперативная память для ноутбука 4Gb Crucial CT51264BF160BJ 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Латентность: CL11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Латентность: CL11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Оперативная память 4Gb Patriot PSD34G160082S 1600 PC-12800 1.5V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Напряжение питания: 1.5 В
    Оперативная память 4Gb Hynix HMT351S6BFR8C-H9 1333 PC-10660 CL9 1.5V
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Оперативная память 4Gb Samsung M471B5173CB0-YK0 1600 PC-12800 1.35V CL11
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Оперативная память для ноутбука 4Gb Samsung M471B5173EB0-YK0 1.35V CL11 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Оперативная память 4Gb Patriot Memory for Ultrabook PSD34G1600L2S 1600 PC-12800 1.35V CL11
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Напряжение питания: 1.35 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Напряжение питания: 1.35 В
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.35 В

    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.35 В

    Оперативная память 4Gb AMD R534G1601S1SL-UO PC12800 1600
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Оперативная память для ноутбука 4Gb Samsung M471B5173QH0-YK0 1600 PC12800
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Оперативная память для ноутбука 4Gb Patriot PSD34G1600L81S 1.35V CL11 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Оперативная память для ноутбука 4Gb Goodram GR1600S3V64L11S/4G 1.35V 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Оперативная память 4Gb Patriot PSD34G16002 1600 PC-12800 9-9-9 1.5V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 9-9-9
    Двухсторонний модуль памяти: Да
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 9-9-9
    Двухсторонний модуль памяти: Да
    Напряжение питания: 1.5 В
    Оперативная память 4Gb Hynix HMT351S6EFR8A-PB 1600 PC-12800 1.35V CL11
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273CH0-YK0 1600 PC-12800 1.35V
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Описание находится в стадии разработки!!!
    123 ... 5