DDR3DDR3109

    ПОДОБРАТЬ ПО ПАРАМЕТРАМ
    Сбросить фильтр
    Оперативная память 2Gb Patriot PC-10600 1333
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В

    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В

    Оперативная память для ноутбука 2Gb Crucial CT25664BF160BJ 1.35V 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Оперативная память 2Gb Patriot PSD32G13332 1.5V 1333 PC-10660
    Тип оборудования: Оперативная память
    Объем: 2 Гб
    Количество модулей: 1
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10660
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: Оперативная память
    Объем: 2 Гб
    Количество модулей: 1
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10660
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    Оперативная память 2Gb Patriot PSD32G1600L81S 1600 PC-12800 1.35V
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В

    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В

    Оперативная память 2Gb Crucial CT25664BD160BJ PC-12800 1600 CL11 1.35V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Оперативная память 2Gb Kingston KVR13N9S6/2G PC10660 1333
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В (LV DDR3)
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В (LV DDR3)
    Оперативная память для ноутбука 2Gb Kingston KVR16S11S6/2 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Оперативная память 2Gb Patriot DDR3 PC12800 2Gb PSD32G160081
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В

    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В

    Оперативная память 2Gb Patriot PSD32G16002 PC-12800 1600
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Оперативная память 2Gb Kingston KVR16N11S6/2 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Оперативная память 2Gb Goodram GR1600D364L11/2G 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Оперативная память для ноутбука 4Gb Samsung M471B5173ЕB0-YK0 1600 PC-12800
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Оперативная память 4Gb NCP NCPH9AUDR-16M58 1.5V 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Поддержка ECC: Нет
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Поддержка ECC: Нет
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    Оперативная память 4Gb Kingston KVR16LE11S8/4 ECC 11-11-11 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Поддержка ECС: Есть
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Поддержка ECС: Есть
    Оперативная память для ноутбука 4Gb Patriot PSD34G1600L81S 1.35V CL11 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Оперативная память 4Gb Kingston KVR16R11S8/4HB ECC CL11 1.5V 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Поддержка ECC: Есть
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Поддержка ECC: Есть
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Оперативная память 8GB Kingston KTM-SX313LLVS/8G ECC Registered 1333 PC3-10600 1.35V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Напряжение питания: 1.5 В
    Оперативная память 4Gb Patriot Viper Series PV34G160LC9S 1600 PC-12800 9-9-9 1.35V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3L
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.35 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3L
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.35 В
    Оперативная память 4Gb Patriot PSD34G160082S 1600 PC-12800 1.5V
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Оперативная память для ноутбука 4Gb Crucial CT51264BF160BJ 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Латентность: CL11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Латентность: CL11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Оперативная память 4Gb Kingston KVR16LR11S8/4 ECC CL11 1.35V 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Поддержка ECC: Есть
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В (LV DDR3)
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Поддержка ECC: Есть
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В (LV DDR3)
    Оперативная память 4Gb Crucial CT51264BD160BJ CL11 1.35V 11-11-11 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Оперативная память 4Gb Samsung M378B5173EB0-CK0 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Оперативная память для ноутбука 4Gb Kingston KVR16LS11/4 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В, 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В, 1.5 В
    Оперативная память 4Gb Crucial CT51264BD160B 1600 PC-12800 11-11-11 1.35V
    Тип оборудования: Модуль памяти LV DDR3
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В (LV DDR3)
    Тип оборудования: Модуль памяти LV DDR3
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В (LV DDR3)
    Оперативная память для ноутбука 4Gb Goodram GR1600S3V64L11S/4G 1.35V 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Оперативная память 4Gb Patriot Signature Line PSD34G160082 1600 PC-12800 1.5V CL11
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Тип оборудования: Модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: Модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    123