SO-DIMM DDR3 (для ноутбуков)SO-DIMM DDR3 (для ноутбуков)24

    ПОДОБРАТЬ ПО ПАРАМЕТРАМ
    Сбросить фильтр
    Модуль памяти для ноутбука 2Gb Crucial CT25664BF160BJ 1.35V 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    29,85BYN
    (298 500BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Модуль памяти для ноутбука 2Gb Geil GS32GB1600C11S 1600 PC12800
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    31,84BYN
    (318 400BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти для ноутбука 2Gb Kingston KVR16S11S6/2 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    31,84BYN
    (318 400BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти для ноутбука 2Gb Kingston KVR13S9S6/2 9-9-9 1.5V 1333 PC-10660
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    35,82BYN
    (358 200BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти для ноутбука 4Gb Patriot PSD34G133381S for Ultrabook CL9 1.35V 1333 PC-10600
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.35 В
    55,32BYN
    (553 200BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.35 В
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.35 В

    56,39BYN
    (563 900BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.35 В

    Модуль памяти для ноутбука 4Gb Patriot SODIMM DDR3 PC10600 4Gb
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    59,70BYN
    (597 000BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В

    46,56BYN
    (465 600BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 2 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1333 МГц
    Стандарт памяти: PC3-10600
    Тайминги: 9-9-9
    Напряжение питания: 1.5 В

    Модуль памяти для ноутбука 4Gb Crucial CT51264BF160BJ 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Латентность: CL11
    Напряжение питания: 1.35 В
    50,15BYN
    (501 500BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Латентность: CL11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Модуль памяти для ноутбука 4Gb Patriot PSD34G1600L81S 1.35V CL11 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    53,33BYN
    (533 300BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Модуль памяти для ноутбука 4Gb Geil GGS34GB1600C11S 1666 PC12800 LV 1.35V
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    53,33BYN
    (533 300BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Модуль памяти для ноутбука 4Gb Samsung M471B5173EB0-YK0 1.35V CL11 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    54,73BYN
    (547 300BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: LV SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Модуль памяти для ноутбука 4Gb Kingston KVR16LS11/4 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В, 1.5 В
    56,12BYN
    (561 200BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В, 1.5 В
    Модуль памяти для ноутбука 4Gb Kingston KVR13S9S8/4 DDR3 PC10660
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Частота функционирования: до 1333 МГц
    Тип: DDR3
    Пропускная способность: до 10660 Мб/сек
    60,70BYN
    (607 000BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 4 Гб
    Частота функционирования: до 1333 МГц
    Тип: DDR3
    Пропускная способность: до 10660 Мб/сек
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Латентность: CL11
    Напряжение питания: 1.35 В

    104,48BYN
    (1 044 800BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Латентность: CL11
    Напряжение питания: 1.35 В

    Модуль памяти для ноутбука 8Gb Crucial CT102464BF160B DDR3 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    104,28BYN
    (1 042 800BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Модуль памяти для ноутбука 8Gb Goodram GR1600S364L11/8G 1.5V 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 8 Гб
    Тип: LV SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    91,74BYN
    (917 400BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 8 Гб
    Тип: LV SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Модуль памяти для ноутбука 8Gb Patriot PSD38G16002S 1.5V 1600 PC-12800
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 8 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    91,85BYN
    (918 500BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 8 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В, 1.5 В
    98,51BYN
    (985 100BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В, 1.5 В
    Модуль памяти для ноутбука 8Gb Corsair CMSA8GX3M1A1600C11 DDR3 1600 PC-12800 MAC Memory
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    101,09BYN
    (1 010 900BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.35 В
    Модуль памяти для ноутбука 8Gb Kingston KVR16S11/8 PC12800
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Потребление энергии: 2.580 Вт
    106,66BYN
    (1 066 600BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Напряжение питания: 1.5 В
    Потребление энергии: 2.580 Вт
    Модуль памяти для ноутбука 8Gb Kingston KVR16LS11/8BK 1600 PC-12800 11-11-11 1.35V
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 8 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Количество чипов памяти: 16 чипов
    Напряжение питания: 1.35 В (LV DDR3)
    Чип: 512M x 8-bit
    Потребление энергии: 2.721 Вт (при напряжении питания 1.35 В)
    107,46BYN
    (1 074 600BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 8 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Количество чипов памяти: 16 чипов
    Напряжение питания: 1.35 В (LV DDR3)
    Чип: 512M x 8-bit
    Потребление энергии: 2.721 Вт (при напряжении питания 1.35 В)
    Модуль памяти для ноутбука 8Gb Kingston KVR16S11/8BK 1600 PC-12800 11-11-11 1.5V
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 8 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Количество чипов памяти: 16 чипов
    Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
    Потребление энергии: 2.580 Вт
    111,44BYN
    (1 114 400BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 8 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 1600 МГц
    Стандарт памяти: PC3-12800
    Тайминги: 11-11-11
    Количество чипов памяти: 16 чипов
    Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
    Потребление энергии: 2.580 Вт
    Модуль памяти для ноутбука 8Gb Kingston Impact HX321LS11IB2/8 1.35V 11-11-11 2133 PC-17000
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 8 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 2133 МГц
    Стандарт памяти: PC3-17000
    Тайминги: 11-12-13 (DDR3 2133 МГц), 10-11-12 (DDR3 1866 МГц), 9-9-10 (DDR3 1600 МГц)
    Чип: 512M x 8-bit
    Напряжение питания: 1.35 В (LV DDR3), 1.5 В (DDR3)
    114,62BYN
    (1 146 200BYR)
    купить
    Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука
    Объем: 8 Гб
    Тип: SO-DIMM DDR3
    Частота: 2133 МГц
    Стандарт памяти: PC3-17000
    Тайминги: 11-12-13 (DDR3 2133 МГц), 10-11-12 (DDR3 1866 МГц), 9-9-10 (DDR3 1600 МГц)
    Чип: 512M x 8-bit
    Напряжение питания: 1.35 В (LV DDR3), 1.5 В (DDR3)