DDR4DDR482

    ПОДОБРАТЬ ПО ПАРАМЕТРАМ
    Сбросить фильтр
    Модуль памяти 4Gb AMD R744G2400U1S Radeon R7 Perfomance Series 15-15-15-36 1.2V 2400 PC-19200
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC4-19200
    Тайминги: 15-15-15-36
    Напряжение питания: 1.2 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC4-19200
    Тайминги: 15-15-15-36
    Напряжение питания: 1.2 В
    Модуль памяти 4Gb Patriot PSD44G213381 2133 PC-17000
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2133 МГц
    Стандарт памяти: PC4-17000
    Тайминги: 15-15-15
    Чип: 512M x 8-bit
    Напряжение питания: 1.2 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2133 МГц
    Стандарт памяти: PC4-17000
    Тайминги: 15-15-15
    Чип: 512M x 8-bit
    Напряжение питания: 1.2 В
    Модуль памяти 4Gb Crucial CT4G4DFS824A 2400 PC-19200 CL17 1.2V
    Тип оборудования: Модуль памяти LV DDR3
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC4-19200
    Тайминги: 17-17-17
    Memory rank: Single Rank
    Напряжение питания: 1.2 В (DDR4)
    Тип оборудования: Модуль памяти LV DDR3
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC4-19200
    Тайминги: 17-17-17
    Memory rank: Single Rank
    Напряжение питания: 1.2 В (DDR4)
    Модуль памяти 4Gb Crucial CT4G4DFS8213 PC17000 2133 1.2V SRx8
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2133 МГц
    Стандарт памяти: PC4-17000
    Латентность: CL15
    Напряжение питания: 1.2 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2133 МГц
    Стандарт памяти: PC4-17000
    Латентность: CL15
    Напряжение питания: 1.2 В
    Модуль памяти 4Gb Patriot PSD44G240081 2400 PC-19200 CL17 1.2V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC4-19200
    Тайминги: 17-17-17
    Напряжение питания: 1.2 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC4-19200
    Тайминги: 17-17-17
    Напряжение питания: 1.2 В
    Модуль памяти 4Gb Patriot PVE44G213C4GY 2133 PC-17000 14-14-14-32 1.2V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2133 МГц
    Стандарт памяти: PC4-17000
    Тайминги: 14-14-14-32
    Напряжение питания: 1.2 В (DDR4)
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2133 МГц
    Стандарт памяти: PC4-17000
    Тайминги: 14-14-14-32
    Напряжение питания: 1.2 В (DDR4)
    Модуль памяти 4Gb Kingston KVR21N15S8/4 1.2V 2133 PC-17000
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2133 МГц
    Стандарт памяти: PC4-17000
    Тайминги: 15-15-15
    Напряжение питания: 1.2 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2133 МГц
    Стандарт памяти: PC4-17000
    Тайминги: 15-15-15
    Напряжение питания: 1.2 В
    Модуль памяти 4Gb Kingston KVR24N17S8/4 PC-19200 2400 17-17-17 1.2V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC4-19200
    Тайминги: 17-17-17
    Memory rank: Single rank
    Двухсторонний модуль памяти: Да
    Чип: 1Gb x 8-bit
    Напряжение питания: 1.2 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC4-19200
    Тайминги: 17-17-17
    Memory rank: Single rank
    Двухсторонний модуль памяти: Да
    Чип: 1Gb x 8-bit
    Напряжение питания: 1.2 В
    Модуль памяти 4Gb Kingston KVR21N15S8/4BK PC-17000 2133 15-15-15 1.2V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2133 МГц
    Стандарт памяти: PC4-17000
    Тайминги: 15-15-15
    Memory rank: Single rank
    Чип: 512M x 8-bit
    Напряжение питания: 1.2 В (DDR4)
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2133 МГц
    Стандарт памяти: PC4-17000
    Тайминги: 15-15-15
    Memory rank: Single rank
    Чип: 512M x 8-bit
    Напряжение питания: 1.2 В (DDR4)
    Модуль памяти 4Gb Kingston HyperX Fury Black HX424C15FB/4 15-15-15 2400 PC-19200
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC4-19200
    Тайминги: 15-15-15
    Напряжение питания: 1.2 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC4-19200
    Тайминги: 15-15-15
    Напряжение питания: 1.2 В
    Модуль памяти 4Gb Kingston HyperX Fury Black HX421C14FB/4 14-14-14 2133 PC-17000
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2133 МГц
    Стандарт памяти: PC4-17000
    Тайминги: 14-14-14
    Напряжение питания: 1.2 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2133 МГц
    Стандарт памяти: PC4-17000
    Тайминги: 14-14-14
    Напряжение питания: 1.2 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC4-19200
    Тайминги: 13-13-13
    Напряжение питания: 1.2 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC4-19200
    Тайминги: 13-13-13
    Напряжение питания: 1.2 В
    Модуль памяти 4Gb Kingston KVR24R17S8/4 PC-19200 2400 17-17-17 1.2V ECC Registered
    Тип оборудования: модуль памяти Registered DDR4
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC4-19200
    Тайминги: 17-17-17
    Двухсторонний модуль памяти: Да
    Чип: 512М x 8-bit
    Напряжение питания: 1.2 В
    Тип оборудования: модуль памяти Registered DDR4
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC4-19200
    Тайминги: 17-17-17
    Двухсторонний модуль памяти: Да
    Чип: 512М x 8-bit
    Напряжение питания: 1.2 В
    Модуль памяти 4Gb Kingston HyperX Savage HX426C13SB2/4 1.35V 13-15-15 2666 PC-21300
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2666 МГц
    Стандарт памяти: PC4-21300
    Тайминги: 13-15-15
    Поддержка профилей памяти: Поддержка XMP (Intel Extreme Memory Profiles)
    Чип: 512M x 8-bit
    Напряжение питания: 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - выставляется в БИОС вручную)
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2666 МГц
    Стандарт памяти: PC4-21300
    Тайминги: 13-15-15
    Поддержка профилей памяти: Поддержка XMP (Intel Extreme Memory Profiles)
    Чип: 512M x 8-bit
    Напряжение питания: 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - выставляется в БИОС вручную)
    Модуль памяти 4Gb Kingston KVR24E17S8/4 PC-19200 2400 17-17-17 1.2V ECC
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC4-19200
    Тайминги: 17-17-17
    Memory rank: Single rank
    Двухсторонний модуль памяти: Да
    Чип: 1Gb x 8-bit
    Напряжение питания: 1.2 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 4 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC4-19200
    Тайминги: 17-17-17
    Memory rank: Single rank
    Двухсторонний модуль памяти: Да
    Чип: 1Gb x 8-bit
    Напряжение питания: 1.2 В
    Модуль памяти 8Gb Patriot PSD48G213381 2133 PC-17000 CL16 1.2V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2133 МГц
    Стандарт памяти: PC4-17000
    Тайминги: 16-16-16
    Напряжение питания: 1.2 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2133 МГц
    Стандарт памяти: PC4-17000
    Тайминги: 16-16-16
    Напряжение питания: 1.2 В
    Модуль памяти 8Gb Samsung M391A1G43EB1-CPB 2133 PC-17000 15-15-15 1.2V ECC
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2133 МГц
    Стандарт памяти: PC4-17000
    Тайминги: 15-15-15
    Чип: 512Mx8
    Напряжение питания: 1.2 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2133 МГц
    Стандарт памяти: PC4-17000
    Тайминги: 15-15-15
    Чип: 512Mx8
    Напряжение питания: 1.2 В
    Модуль памяти 8Gb Crucial CT8G4DFS8213 CL15 1.2V 2133 PC-17000
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2133 МГц
    Стандарт памяти: PC4-17000
    Тайминги: 15-15-15
    Напряжение питания: 1.2 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2133 МГц
    Стандарт памяти: PC4-17000
    Тайминги: 15-15-15
    Напряжение питания: 1.2 В
    Тип оборудования: Набор (2 модуля по 4 Гб)
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2800 МГц
    Стандарт памяти: PC4-22400
    Тайминги: 16-18-18-36
    Охлаждение: Радиаторы на чипах памяти
    Напряжение питания: 1.2 В
    Тип оборудования: Набор (2 модуля по 4 Гб)
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2800 МГц
    Стандарт памяти: PC4-22400
    Тайминги: 16-18-18-36
    Охлаждение: Радиаторы на чипах памяти
    Напряжение питания: 1.2 В
    Модуль памяти 8Gb Crucial CT8G4DFS824A CL17 1.2V 2400 PC-19200 DDR4
    Тип оборудования: Модуль памяти
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC4-19200
    Тайминги: 17-17-17
    Напряжение питания: 1.2 В (DDR4)
    Тип оборудования: Модуль памяти
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC4-19200
    Тайминги: 17-17-17
    Напряжение питания: 1.2 В (DDR4)
    Модуль памяти 8Gb Crucial CT8G4DFD824A 1.2V CL17 2400 PC-19200
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC4-19200
    Тайминги: 17-17-17
    Напряжение питания: 1.2 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC4-19200
    Тайминги: 17-17-17
    Напряжение питания: 1.2 В
    Модуль памяти 8Gb Geil GN48GB2400C16S 1.2V CL16 2400 PC-19200
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC4-19200
    Тайминги: 16-16-16
    Напряжение питания: 1.2 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC4-19200
    Тайминги: 16-16-16
    Напряжение питания: 1.2 В
    Модуль памяти 8Gb Team Elite TED48G2133C1501 2133 PC-17000 15-15-15 1.2V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2133 МГц
    Стандарт памяти: PC3-17000
    Тайминги: 15-15-15-36
    Напряжение питания: 1.2 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2133 МГц
    Стандарт памяти: PC3-17000
    Тайминги: 15-15-15-36
    Напряжение питания: 1.2 В
    Модуль памяти 8Gb Kingston KVR21N15D8/8 CL15 15-15-15 2133 PC-17000
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2133 МГц
    Стандарт памяти: PC4-17000
    Двухсторонний модуль памяти: Да
    Тайминги: 15-15-15
    Чип: 512M x 8-bit
    Напряжение питания: 1.2 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2133 МГц
    Стандарт памяти: PC4-17000
    Двухсторонний модуль памяти: Да
    Тайминги: 15-15-15
    Чип: 512M x 8-bit
    Напряжение питания: 1.2 В
    Модуль памяти 8Gb Kingston ValueRAM KVR21N15S8/8 1.2V CL15 2133 PC-17000
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2133 МГц
    Стандарт памяти: PC4-17000
    Тайминги: 15-15-15
    Чип: 512M x 8-bit
    Напряжение питания: 1.2 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2133 МГц
    Стандарт памяти: PC4-17000
    Тайминги: 15-15-15
    Чип: 512M x 8-bit
    Напряжение питания: 1.2 В
    Модуль памяти 8Gb Team Elite TED48G2400C1601 2400 PC-19200 16-16-16 1.2V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC3-19200
    Тайминги: 16-16-16-39
    Напряжение питания: 1.2 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC3-19200
    Тайминги: 16-16-16-39
    Напряжение питания: 1.2 В
    Модуль памяти 8Gb Patriot PSD48G240081 2400 PC-19200 CL17 1.2V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC4-19200
    Тайминги: 17-17-17
    Чип: 512M x 8-bit
    Напряжение питания: 1.2 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC4-19200
    Тайминги: 17-17-17
    Чип: 512M x 8-bit
    Напряжение питания: 1.2 В
    Модуль памяти 8Gb 2400 PC-19200 Samsung M378A1G43EB1-CRC
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Описание находится в стадии разработки!!!
    Модуль памяти 8Gb Apacer AU08GGB24CETBGC 2400 PC-19200 17-17-17 1.2V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC4-19200
    Тайминги: 17-17-17
    Напряжение питания: 1.2 В (DDR4)
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC4-19200
    Тайминги: 17-17-17
    Напряжение питания: 1.2 В (DDR4)
    Модуль памяти 8Gb Kingston KVR24N17S8/8 PC-19200 2400 17-17-17 1.2V
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC4-19200
    Тайминги: 17-17-17
    Memory rank: Single rank
    Чип: 512M x 8-bit
    Напряжение питания: 1.2 В
    Тип оборудования: модуль памяти
    Объем: 8 Гб
    Тип: DDR4
    Частота: 2400 МГц
    Стандарт памяти: PC4-19200
    Тайминги: 17-17-17
    Memory rank: Single rank
    Чип: 512M x 8-bit
    Напряжение питания: 1.2 В
    123